潔凈車(chē)間溫度和濕度的項(xiàng)目主要是根據(jù)工藝要求來(lái)確定的，還要考慮到人的舒適感。隨著空氣潔凈度要求的提高，已經(jīng)對(duì)溫濕度要求的過(guò)程越來(lái)越嚴(yán)格的趨勢(shì)。

關(guān)于溫度要求的具體過(guò)程這里就不詳細(xì)介紹，但作為一般原則，由于潔凈車(chē)間越來(lái)越多的精密加工，所以溫度波動(dòng)范圍的要求越來(lái)越小。例如，在用于大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，作為玻璃和掩模材料的硅晶片之間的熱膨脹系數(shù)的差異變得越來(lái)越小。100微米直徑的硅晶片，溫度升高1度，它引起的線性膨脹為0.24微米，因此必須有±0.1度恒定的溫度，而濕度值一般較低，這是因?yàn)槿顺龊购螽a(chǎn)品會(huì)被污染，特別是害怕鈉的半導(dǎo)體車(chē)間，這種無(wú)塵潔凈車(chē)間作業(yè)不應(yīng)超過(guò)25度。

高濕度會(huì)導(dǎo)致很多問(wèn)題。如果相對(duì)濕度超過(guò)50%，則冷卻水的管壁上會(huì)發(fā)生冷凝現(xiàn)象。如果發(fā)生在精密設(shè)備或者是電路中，可能會(huì)發(fā)生各種事故。相對(duì)濕度在50%時(shí)容易生銹。除此之外，無(wú)塵潔凈車(chē)間工作濕度過(guò)高會(huì)通過(guò)空氣中的水分子把硅片表面的附著的灰塵化學(xué)吸附在表面而難以去除。相對(duì)濕度越高，粘附越難去掉，然而當(dāng)相對(duì)濕度小于30%時(shí)，由于靜電力的作用，顆粒也容易被吸附在表面上，大量半導(dǎo)體器件容易破裂。